届时，诸如台积电、IMEC、IBM 和三星等各大半导体公司的研究人员将汇聚一堂，分享关于垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术的最新研究成果。

图1-(a)单行CFET 和(b)双行CFET的概念表示。 触发器(D型触发器或DFF)的布局显示，当从单行过渡到双行 CFET时，单元高度和面积减少了24nm (或12.5%) imec DTCO ...