随着中国内存厂商在通用DRAM领域的强势追赶，三星电子紧急向中国派遣调查团。近期传出消息，中国内存厂商长鑫存储（CXMT）已经在10纳米级DRAM工艺中采用了D1z（16纳米及以下）技术并实现量产，三星此举意在掌握中国半导体追赶速度。据悉，随着CXM ...

1月16日，DRAM（内存）板块整体下跌0.62%，其中德明利表现较弱，成为领跌的个股。尽管上证指数和深证成指分别上涨0.28%和0.41%，DRAM板块却未能趁势而上，反映出市场对该行业的谨慎态度。当天，主力资金净流出达10.21亿元，显示出投资者对DRAM领域的看法趋于消极，而游资和散户呈现净流入的情况，可能暗示市场中的短期投机情绪。

IT之家昨日援引 ETNews 报道，三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局，已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。

【消息称美光将加入16-Hi HBM3E竞争 已在进行最终设备评估】《科创板日报》16日讯，DRAM内存巨头之一的美光也将加入16-Hi（即16层堆叠）HBM3E内存的竞争，已在进行最终设备评估，计划年内实现量产。（Chosun ...

这得益于其服务器DRAM和HBM3e出货量的大幅增长。美光一直在积极推出高端内存芯片，如36GB容量、9.2Gbps速度的HBM3E。 同时，SK Hynix也发布了首款16-Hi ...