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24 天
下一代EUV光源,美国再次领先,芯片制造效率飙升十倍!
这些计算机芯片推动了当今人工智能、高性能超级计算机和智能手机领域的惊人创新。 如今,由LLNL领导的一个新的研究合作伙伴关系旨在为下一代极紫外(EUV)光刻技术奠定基础,该技术围绕实验室开发的驱动系统——大口径铥(BAT)激光系统展开。这一突破 ...
快科技
24 天
美国开发新一代BAT激光器:远超现有EUV光刻 效率提升10倍!
快科技1月6日消息,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正在研究一种效率比传统CO2 EUV激光器高10倍的激光器,这将为下一代EUV光刻技术发展奠定 ...
凤凰网
10 天
国产EUV光刻机一旦成功美国必败!专家:中芯国际能追上台积电,靠 ...
最后,对于中芯国际面临的技术瓶颈,王国辉承认,中国目前确实无法获得ASML的EUV光刻机,而这些设备是在尖端节点上生产芯片所需的。 然而 ...
新浪网
27 天
纳米压印光刻技术旨在挑战EUV
NIL 系统提供的优势可能会挑战价值 1.5 亿美元的机器,这些机器在当今先进的芯片制造中占据主导地位,即极紫外 (EUV) 光刻扫描仪。如果佳能是 ...
Nature
1 个月
Lithography gets extreme
sources capable of delivering 100 W of in-band EUV power at the entrance of the illumination system are required. Fortunately, certain plasmas such as those of tin and xenon are efficient emitters ...
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